據手機無線充線路板小編了解，隨著近日最新出產的高性能芯片大量使用4nm工藝，不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程，正式進入到了測試階段，也預計將在2023年年末就會看到3nm制程的產品面向市場。

  前段時間，三星公布了自家的3nm制程工藝已經達到了可以批量生產的標準，因為三星工藝在驍龍888和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現并不盡如人意，所以仍有不少相關機構認為臺積電的3nm會優于三星工藝，但目前仍處在相關芯片工藝參數爆料階段，并不能說明最后使用相關工藝的芯片性能有差別。

  據手機無線充線路板小編了解，三星電子的芯片合同制造業務周二表示，盡管目前全球經濟不景氣，但它計劃到2027年將其先進芯片的產能提高三倍以上，以滿足強勁的需求。這家僅次于臺積電的世界第二大代工廠的目標是到2025年大規模生產先進的2nm技術芯片，到2027年大規模生產1.4nm芯片，這些芯片將用于高性能計算和人工智能等應用。據此前報道，三星主要競爭對手臺積電2nm制程將于2025年量產，并且就現在的進度來看，有望領先其競爭對手三星和英特爾。

  據手機無線充線路板小編了解，臺積電先進制程進展順利，3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產一年后量產，即2023年量產，2nm預計于2025年量產。臺積電2nm預計首次采用納米片架構，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%；在相同頻率下，功耗降低25%至30%。除臺積電和三星外，英特爾也在這兩年持續在芯片制造方向持續發力，目前雖然還在使用7nm技術，但據相關消息，英特爾已經在多處建立芯片中心，同樣也被爆料將于2025年發布2nm工藝。