根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計，截止2018年底我國12英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約60萬片；8英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約90萬片；6英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約200萬片；5英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約90萬片；4英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約200萬片；3英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約50萬片。

  為了讓大家對我國電路板廠新的晶圓制造線的最新情況有個大概了解，本文章對2018年度有關(guān)中國晶圓生產(chǎn)線的最新情況進(jìn)行盤點，共計46個項目情況情況，46個項目宣布投資資金總額超過14000億人民幣。

  本文分為五個部分。分別是投產(chǎn)篇、產(chǎn)能爬坡篇、擴建篇、在建篇、規(guī)劃篇。

投產(chǎn)篇：2018年度宣布投產(chǎn)的晶圓制造生線；

產(chǎn)能爬坡篇：2018年度前投產(chǎn)的生產(chǎn)線，2018年產(chǎn)能較2017年開始提升；

擴建篇：2018年度前已經(jīng)投產(chǎn)，但2018年開始新產(chǎn)能的建設(shè)；

在建篇：2018年度還在建設(shè)的全新晶圓生線；

規(guī)劃篇：2018年度宣布建線計劃。

  對于46條生產(chǎn)線情況的未來發(fā)展還有待時間驗證，在2019年度芯思想研究院還將繼續(xù)跟蹤調(diào)研。

  投產(chǎn)篇（10）

上海華力集成電路制造有限公司（華力二期）（12英寸）

長江存儲科技有限責(zé)任公司（12英寸）

合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司（12英寸）

臺積電（南京）有限公司（12英寸）

英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（12英寸）

中芯集成電路（寧波）有限公司（8英寸）

北京燕東微電子科技有限公司（8英寸）

河南芯睿電子科技有限公司（6英寸）

株洲中車時代電氣股份有限公司（6英寸碳化硅）

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（6英寸碳化硅）

  產(chǎn)能爬坡篇（9）

中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司（12英寸）

合肥晶合集成電路有限公司（12英寸）

聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司（12英寸）

杭州士蘭集昕微電子有限公司（8英寸）

上海新進(jìn)芯微電子有限公司（8英寸）

英諾賽科（珠海）科技有限公司（8英寸）

四川廣義微電子股份有限公司（6英寸）

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（氮化鎵）

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（氮化鎵）

  擴建篇（4）

三星（中國）半導(dǎo)體有限公司（12英寸）

SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司（12英寸）

武漢新芯集成電路制造有限公司（12英寸）

中芯國際集成電路制造（天津）有限公司（8英寸）

  在建篇（21）

中芯南方集成電路制造有限公司（12英寸）

華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司（12英寸）

南京紫光存儲科技控股有限公司（12英寸）

成都紫光國芯存儲科技有限公司（12英寸）

福建省晉華集成電路有限公司（12英寸）

廈門士蘭集科微電子有限公司（12英寸）

重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司（12英寸）

廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（12英寸）

芯恩（青島）集成電路有限公司（12英寸）

格芯（成都）集成電路制造有限公司（12英寸）

德淮半導(dǎo)體有限公司（12英寸）

江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司（12英寸）

武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司（12英寸）

上海積塔半導(dǎo)體有限公司（12英寸/8英寸）

海辰半導(dǎo)體（無錫）有限公司（8英寸）

中芯集成電路制造（紹興）有限公司（8英寸）

賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司（8英寸MEMS）

德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司（8英寸）

江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司（8英寸）

廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（6英寸）

北京雙儀微電子科技有限公司（6英寸砷化鎵）

  規(guī)劃篇（2）

華潤微電子重慶基地（12英寸）

矽力杰半導(dǎo)體青島項目（12英寸）

  投產(chǎn)篇

  上海華力集成電路制造有限公司

（華力二期，HHFAB6）

  2018年10月18日，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期）生產(chǎn)線正式投片，首批12英寸硅片進(jìn)入機臺，開始28納米工藝芯片制造。

  2016年12月30日上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HHFAB6）12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線開工建設(shè)；2017年5月20日樁基工程完工，開始主廠房鋼結(jié)構(gòu)屋架吊裝，11月2日廠房主體結(jié)構(gòu)完成；2018年5月21日實現(xiàn)首臺工藝設(shè)備光刻機搬入。

  上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HHFAB6）12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項目，總投資387億元人民幣，將建成月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點。項目計劃于2022年底達(dá)產(chǎn)。

  長江存儲科技有限責(zé)任公司

  2018年第四季度，長江存儲一期工程正式投產(chǎn)，32層3D NAND閃存芯片成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

  2016年7月26日，長江存儲有限責(zé)任公司成立；2016年12月30日，國家存儲器基地項目正式開工建設(shè)；2017年7月，32層3D NAND 芯片T/O（設(shè)計完成）；2017年9月，國家存儲器基地項目一期工程提前封頂；2017年11月，耗資10億美元、1000人團(tuán)隊歷時2年研發(fā)的32層3D NAND 芯片完成首次驗證；2018年4月11日，一期工程生產(chǎn)機臺正式進(jìn)場安裝。

  國家存儲器基地項目規(guī)劃，預(yù)計5年投入1600億元（約合240億美元），到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。

  睿力集成電路有限公司

  合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司

  2018年7月16日，合肥12英寸存儲器“506項目”正式投片。

  2016年5月6日合肥12英寸存儲器“506項目”啟動；2017年3月廠房開工，2018年1月開始設(shè)備安裝。

  不過，根據(jù)國家發(fā)改委等四部委2018年13號公告表明，公告中有睿力集成電路有限公司和合肥格易集成電路有限公司，而沒有合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司。

  臺積電（南京）有限公司

  2018年10月31日，臺積電正式對外宣布南京12英寸晶圓廠FAB16量產(chǎn)，提供12寸16nm FinFET晶圓代工業(yè)務(wù)。據(jù)悉，南京廠PCB月產(chǎn)能為10000片，預(yù)計2019年年底前將提升為15000片，2020年第一季達(dá)到20000片的規(guī)劃產(chǎn)能。

  2015年年底，臺積電宣布，已向臺灣“投審會”遞件申請赴大陸設(shè)立12英寸晶圓廠與設(shè)計服務(wù)中心，設(shè)立地點確定為江蘇省南京市江北新區(qū)，投資金額大約在30億美元；2016年3月臺積電南京項目正式落戶南京，2016年7月項目一期正式開工建設(shè)；2017年9月，臺積電南京公司舉行了機臺MOVE-IN典禮；2018年5月晶圓廠開始試投產(chǎn)。

  英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司

  2018年第二季，英特爾宣布大連的Fab 68二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層的3D NAND閃存。

  2015年10月19日，英特爾與大連市舉行“大連•英特爾非易失性存儲制造”項目簽約。英特爾宣布，為了積極追趕競爭對手的市占率，F(xiàn)ab 68二期改造工程總投資55億美元，該戰(zhàn)略性計劃是英特爾深化其非易失性存儲器業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略的一個重要舉措。

  此項投資符合英特爾大連工廠的長期發(fā)展策略，也體現(xiàn)了英特爾與中國共成長的長期發(fā)展承諾。

  中芯集成電路（寧波）有限公司

  2018年第三季度，中芯寧波8英寸特種工藝N1產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠，2018年11月2日正式投產(chǎn)。同日，N2產(chǎn)線開工建設(shè)。

  這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯集成電路（寧波）有限公司由中芯晶圓與寧波勝芯、華創(chuàng)投資等聯(lián)合成立。公司將通過對相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的收購、吸收、提升和發(fā)展，在高壓模擬半導(dǎo)體以及包括射頻與光電特色器件在內(nèi)的模擬和特色工藝半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，開發(fā)、建立新的核心器件及技術(shù)平臺，以支持客戶面向智能家電、工業(yè)與汽車電子、新一代射頻通訊以及AR/VR/MR等專用系統(tǒng)應(yīng)用的芯片設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)。

  中芯集成電路（寧波）有限公司分為N1（租用小港安居路現(xiàn)有廠房）與N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計服務(wù)平臺。

  北京燕東微電子科技有限公司

  2018年12月31日，燕東微電子8英寸Mini-line試驗線第一片晶圓正式下線，實現(xiàn)了Trench MOSFET 30V產(chǎn)品全流程貫通，器件功能良好，電性能測試單片良率超80%。這是燕東微電子在8吋晶圓制造的里程碑。

  2018年4月15日，燕東微電子8英寸集成電路項目舉行上梁儀式，6月29日主廠房封頂。

  該項目建設(shè)地設(shè)在亦莊經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)東區(qū)B15地塊，占地面積約為10萬平方米，總投資48億元。芯片生產(chǎn)廠房包含一條月產(chǎn)5萬片（25次光刻）0.25um-0.09um（典型工藝為0.11um)、BCD兼容工藝的8英寸芯片生產(chǎn)線。

  燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測平臺項目于2016年9月27日正式啟動，當(dāng)日，燕東公司還與該項目LCD驅(qū)動電路生產(chǎn)的主要技術(shù)合作方馬來西亞Silterra公司簽訂了合作協(xié)議。

  燕東微電子屬北京電控旗下子公司，成立于1987年，是一家專業(yè)化的半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計、制造、銷售的全資國有高科技企業(yè)。

  河南芯睿電子科技有限公司

  2018年6月6英寸生產(chǎn)線全面投產(chǎn)，年產(chǎn)20億只智能終端產(chǎn)品用超小型傳聲器。

  芯睿與中科院固體物理所、西安電子科技大學(xué)等知名科研院所深度合作，組建的光電傳感與集成應(yīng)用河南省重點實驗室、聲電轉(zhuǎn)換專用集成電路河南省工程實驗室、微電子研究院成為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、保持技術(shù)領(lǐng)先的秘密所在。

  企業(yè)獨有的“0.33微米厚度聲電轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)”一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國際先進(jìn)水平。

  株洲中車時代電氣股份有限公司

  2018年1月，在中國科學(xué)院微電子研究所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車時代電氣股份有限公司6英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現(xiàn)4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發(fā)與制造。這是國內(nèi)首條6英寸碳化硅生產(chǎn)線。

  生產(chǎn)廠房2017年8月交付使用，12月SiC芯片生產(chǎn)線便完成了工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試，2018年1月首批芯片試制成功。

  自2011年微電子所與中車株洲電力機車研究所有限公司共建新型電力電子器件聯(lián)合研發(fā)中心，開展SiC電力電子器件研制和產(chǎn)品開發(fā)，在大容量SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面取得進(jìn)展，實現(xiàn)600V~6500V/5A-200A SiC SBD產(chǎn)品開發(fā)，以及600~1700V/5A~20A SiC MOSFET器件研制。

  北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

  2018年2月1日，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線成功通線。

  北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年12月24日，其前身為中原半導(dǎo)體研究所。公司主營寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料、外延和器件的研發(fā)與生產(chǎn)。

  產(chǎn)能爬坡篇

  中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司

  2018年中芯國際深圳基地12英寸晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能3000片，目前正在按需擴產(chǎn)中。

  中芯國際深圳基地規(guī)劃一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸產(chǎn)線，聚焦在0.11微米到55納米這些工藝的生產(chǎn)，2017年第4季投產(chǎn)。

  合肥晶合集成電路有限公司

  2018年12月公司達(dá)到每月10000片生產(chǎn)規(guī)模；2019年底月產(chǎn)能可以達(dá)到25000片規(guī)模。

  2018年，晶合以110納米-180納米工藝制造LCD驅(qū)動芯片，此后不再從力晶進(jìn)行技轉(zhuǎn)，而是自研55納米工藝技術(shù)，預(yù)計將于2019年投產(chǎn)。

  2015年10月20日，晶合總投資128.1億元人民幣的12英寸晶圓制造基地項目（一期）開工；2016年11月16日晶合集成一期舉行封頂儀式；2017年4月20日，晶合集成主機臺進(jìn)駐；2017年6月28日投產(chǎn)；2017年9月25日達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)；2017年10月1日宣布正式量產(chǎn)。

 公司計劃建置4座12吋晶圓廠。其中一期投入 資金超過百億元，目前已完成N1、N2兩個廠房主體的建設(shè)，N1廠計劃2020年達(dá)到滿產(chǎn)每月4萬片規(guī)模。

  聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司

  2018年第4季聯(lián)芯集成的月產(chǎn)能約為17000萬片，較2017年第4季的月產(chǎn)能12000片增長約40%。

  聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司為臺灣聯(lián)華電子與廈門市人民政府及福建省電子信息集團(tuán)合資成立之一流晶圓專工企業(yè)，于福建省廈門市從事集成電路制造，提供12英寸晶圓專工服務(wù)。聯(lián)芯集成電路制造公司于2014年底開始籌建，2015年3月26日奠基動工，2016年11月開始投產(chǎn)，可提供40nm及28nm的晶圓專工服務(wù)，一期月產(chǎn)能為25000片12英寸晶圓。

  廈門聯(lián)芯廠在引進(jìn)28納米制程后，2017年第二季度投產(chǎn)5000片，第三季度投產(chǎn)12000片。2017年12月13日通過189.9億元新臺幣（約合6.3億美元）資本預(yù)算執(zhí)行案，間接增資廈門聯(lián)芯集成電路制造有限公司，擴增晶圓廠產(chǎn)能。2018年第一季度月產(chǎn)能將擴增至16000片規(guī)模，2018年年底實現(xiàn)月產(chǎn)25000片的目標(biāo)。

  杭州士蘭集昕微電子有限公司

  2018年公司進(jìn)一步加快8英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)進(jìn)度，12月達(dá)產(chǎn)30000片，較6月月產(chǎn)能達(dá)20000片增長50%。

  2015 年開工建設(shè)；2016 年1月主要生產(chǎn)廠房已結(jié)頂，部分生產(chǎn)設(shè)備運抵公司；2016 年 12 月底，主廠房建設(shè)、凈化裝修和機電動力設(shè)備安裝等均已完工，部分工藝設(shè)備也已安裝完畢并進(jìn)入調(diào)試階段預(yù)計；2017年3 月產(chǎn)出第一片合格芯片；2017年6月正式投入量產(chǎn)；2017年12 月實現(xiàn)月產(chǎn)15000片；當(dāng)年共產(chǎn)出芯片5.71 萬片；2018年公司進(jìn)一步加快8英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)進(jìn)度，已有高壓集成電路、高壓MOS管、低壓MOS管、肖特基管、IGBT等多個產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)。2018年6月，月產(chǎn)能達(dá)20000片，上半總共產(chǎn)出芯片10.24萬片。

  上海新進(jìn)芯微電子有限公司

  2018年第一季度末每月產(chǎn)能達(dá)3000片8英寸晶圓，2018年年底增加到月產(chǎn)10000片晶圓。

  自2015年啟動升級計劃，2016年8英寸設(shè)備開始進(jìn)廠安裝調(diào)試，2017年第四季完成了對8英寸晶圓質(zhì)量評估。

  英諾賽科（珠海）科技有限公司

  2018年8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線產(chǎn)能進(jìn)一步提升。

  2017年11月9日，英諾賽科（珠海）科技有限公司自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。公司擁有德國愛思強公司的G5+ MOCVD設(shè)備，該設(shè)備也是世界領(lǐng)先的針對8英寸硅基氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備。

  四川廣義微電子股份有限公司

  2018年12月，在北京燕東微電子的支持下，公司6英寸月產(chǎn)能順利達(dá)到30000片，較2018年7月的12000片，增長了150%。2019年計劃月產(chǎn)能從30000片擴充至60000片，沖擊80000片。

  2017年8月18日公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片項目一期生產(chǎn)線的正式投產(chǎn)；2018年6月與英飛凌簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議；2018年8月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協(xié)議。

  四川廣義微電子股份有限公司是一家專業(yè)化的集成電路設(shè)計、制造、銷售于一體的IDM高科技企業(yè)，公司規(guī)劃月產(chǎn)能15萬片。

  蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司

  蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司氮化鎵器件于2011年開始建設(shè)；2013年試生產(chǎn)，2014年投產(chǎn)，2015年開始批量生產(chǎn)。目前正在由于3英寸向4英寸晶圓轉(zhuǎn)換。

  能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、芯片設(shè)計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。目前完成了面向5G通信系統(tǒng)的技術(shù)與產(chǎn)品的積累，產(chǎn)品性能已通過國際一流通訊企業(yè)的測試與認(rèn)證。

  江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司

  2017年11月15日公司生產(chǎn)線正式投產(chǎn)后，產(chǎn)能一直在穩(wěn)定提升中。目前要生產(chǎn)4英寸和6英寸晶圓。

  江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是專業(yè)設(shè)計、研發(fā)，生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。

  擴建篇

  武漢新芯集成電路制造有限公司

  2018年8月28日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴產(chǎn)項目現(xiàn)場推進(jìn)會在武漢召開。據(jù)悉武漢新，二期擴產(chǎn)項目規(guī)劃總投資17.8億美元。

  據(jù)悉，二期將緊抓物聯(lián)網(wǎng)和5G運用的市場機遇，建設(shè)NOR FLASH（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺，相當(dāng)于再造一個武漢新芯。

  根據(jù)規(guī)劃，武漢新芯的NOR FLASH閃存能力每個月擴充8000片，從月產(chǎn)能1.2萬片擴至月能2萬片，微控制器每個月擴充5000片，計劃用5年時間把武漢新芯建設(shè)成中國物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)。

  三星（中國）半導(dǎo)體有限公司

  2018年3月，三星宣布在西安舉行了第二條NAND閃存芯片生產(chǎn)線的奠基儀式，2019年投產(chǎn)。

  三星未來三年將斥資70億美元，擴大西安廠區(qū)NAND Flash產(chǎn)能，西安NAND Flash月產(chǎn)能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅約67%。

  SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司

  2018年SK海力士半導(dǎo)體12英寸集成電路生產(chǎn)線6期技術(shù)升級和潔凈廠房擴建正在施工中。

  2017年10月29日，SK海力士與無錫市政府就海力士新上二工廠項目簽約，總投資高達(dá)86億美元。興建完成之后，將形成月產(chǎn)能20萬片10納米制程等級的晶圓生產(chǎn)基地。

  中芯國際集成電路制造（天津）有限公司

  2018年7月，中芯國際天津廠舉行了P2 Full Flow 擴產(chǎn)計劃的首臺設(shè)備進(jìn)駐儀式；截止2018年第四季，天津廠8英寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)60000片。

  2016年10月18日開始，正式啟動天津廠產(chǎn)能擴充計劃，該計劃預(yù)計投資金額為15億美金。在計劃完成后，產(chǎn)能將達(dá)到每月15萬片的規(guī)模，有望成為全球最大的單體8英寸晶圓的生產(chǎn)基地。

  2017年2月擴產(chǎn)項目正式啟動。

  在建篇

  中芯南方集成電路制造有限公司

  2018年度中芯南方完成廠房建設(shè)和無塵室裝修，預(yù)計2019年第一季進(jìn)行風(fēng)險投產(chǎn)。第一階段擁有的14nm 研發(fā)設(shè)施已經(jīng)具備月產(chǎn)能3500片規(guī)模，第二階段會達(dá)到月產(chǎn)能6000片，第三階段會達(dá)到月產(chǎn)能9000片，最終達(dá)到每月量產(chǎn)35000片的目標(biāo)。

  中芯南方成立于2016年12月1日，是配合中芯國際14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計劃而建設(shè)的具備先進(jìn)制程產(chǎn)能的12英寸晶圓廠，規(guī)劃產(chǎn)能每月35000片。

  2018年1月30日，中芯南方擬增資擴股，注冊資本從2.10億美元增至35億美元。其中：中芯控股現(xiàn)金出資15.435億美元，大基金現(xiàn)金出資9.465億美元，上海集成電路基金現(xiàn)金出資8億美元。各訂約方對中芯南方的投資總額估計為102.4億美元。

  華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司

  2018年3月2日華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目舉行開工典禮舉行；4月3日，華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司一期（FAB7）樁基工程啟動；7月21日，F(xiàn)1廠房首件鋼柱完成吊裝；8月12日，生產(chǎn)廠房首根桁架吊裝完成，項目進(jìn)入施工新階段；12月21日實現(xiàn)主廠房結(jié)構(gòu)封頂。實現(xiàn)當(dāng)年開工，當(dāng)年主廠房結(jié)構(gòu)封頂。

  華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65/55納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。項目計劃2019年下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機電設(shè)備安裝通線并逐步實現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

  2017年8月初，華虹宏力與無錫市政府及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）簽訂了一份投資協(xié)議，三方將在無錫投資建設(shè)一座12英寸晶圓廠。據(jù)介紹，大基金向華虹注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導(dǎo)體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無錫，持股29%。

  南京紫光存儲科技控股有限公司

  2018年9月30日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目項目開工，總投資300億美元。據(jù)悉，南京基地將直接生產(chǎn)64層3D NAND芯片。

  項目一期投資約105億美元，月產(chǎn)芯片10萬片，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash、DRAM存儲芯片等。預(yù)估項目全部建成將可形成月產(chǎn)12英寸3D NAND存儲器芯片30萬片。

  成都紫光國芯存儲科技有限公司

  2018年10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。

  據(jù)介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬片。

  福建省晉華集成電路有限公司

  2018年10月30日，美國商務(wù)部以國家安全為由，宣布自10月30日起對晉華集成實施出口管制，被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業(yè)。限制對其出口，原因是該公司新增的存儲芯片生產(chǎn)能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應(yīng)商的生存能力。目前項目陷入危機中。

  2016年2月26日，晉華集成在福建省晉江市成立；2016年4月，臺灣經(jīng)濟(jì)部投審會通過聯(lián)電和晉華集成合作共同開發(fā)32納米DRAM制程；由聯(lián)電在南科研發(fā)，再移轉(zhuǎn)到晉華集成生產(chǎn)；2016年5月，晉華集成與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報酬金，開發(fā)出的DRAM技術(shù)成果，將由雙方共同擁有；2016年6月9日晉華集成首座12英寸晶圓廠項目立項備案；2016年7月，晉華集成首座12英寸晶圓廠舉行施工典禮；2016年10月18日，晉華集成首座12英寸晶圓廠正式開工建設(shè)；2017年11月，晉華集成首座12英寸晶圓廠廠房封頂；2018年7月晉華集成首座12英寸晶圓廠工藝設(shè)備進(jìn)場安裝，計劃年底進(jìn)行小規(guī)模投片試產(chǎn)。

  晉華集成是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域。預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬片。并適時啟動二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時，總產(chǎn)能將達(dá)24萬片。

  廈門士蘭集科微電子有限公司

  2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線舉行開工典禮。

  項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)，公司注冊資本為20億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)以貨幣出資17億元，占股85%；士蘭微以貨幣出資3億元，占股15%。

  12英寸特色工藝芯片項目總投資170億元，建設(shè)兩條以MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的12英寸集成電路制造生產(chǎn)線。第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90nm，計劃月產(chǎn)8萬片，分兩期實施：其中一期總投資50億元，實現(xiàn)月產(chǎn)能4萬片；項目二期總投資20億元，新增月產(chǎn)能4萬片。而第二條12英寸產(chǎn)線為項目三期，預(yù)計總投資100億元，工藝線寬65nm--90nm。

  重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司

  2018年3月開始搬入設(shè)備并裝機。原預(yù)估2018年第4季投產(chǎn)。目前投產(chǎn)時間不定。

  2015年9月，兩江新區(qū)管委會與萬國半導(dǎo)體科技有限公司簽訂“12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目投資協(xié)議”，2016年4月22日成立重慶萬國，將主要從事功率半導(dǎo)體器件（含功率MOSFET、IGBT等功率集成電路）的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。2017年2月動工建設(shè)。

  萬國半導(dǎo)體科技有限公司是全球技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，該項目總投資10億美元，將分二期建設(shè)。其中，項目一期投資約5億美元，建筑面積93111平方米，預(yù)計每月生產(chǎn)2萬片芯片、封裝測試5億顆芯片；二期投資約5億美元，預(yù)計每月生產(chǎn)5萬片芯片、封裝測試12.5億顆半導(dǎo)體芯片。

  廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

  2018年3月廣州粵芯半導(dǎo)體有限公司12英寸集成電路生產(chǎn)廠房開始樁基工程，7月31日完成主廠房首塊華夫板澆筑，10月11日舉行了12英寸集成電路生產(chǎn)線項目主廠房封頂；12月7日潔凈室正壓送風(fēng)。

  2017年12月舉行開工儀式，這是國內(nèi)第一座以虛擬IDM(Virtual IDM)為營運策略的12英寸晶圓廠，也是廣州第一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。計劃2019年3月潔凈生產(chǎn)車間完工，開始設(shè)備搬入并調(diào)試，2019年6月投片，2019年第四季正式生產(chǎn)。

  粵芯半導(dǎo)體項目投資70億元，新建廠房及配套設(shè)施共占地14萬平方米。建成達(dá)產(chǎn)后，粵芯半導(dǎo)體將實現(xiàn)月產(chǎn)40000片12英寸晶圓的生產(chǎn)能力，采用13nm到180nm工藝節(jié)點生產(chǎn)，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G等創(chuàng)新應(yīng)用的模擬芯片需求。

  芯恩（青島）集成電路有限公司

  點評：名人效應(yīng)難符實。

  2018年5月18日芯恩集成電路項目在正式開工。據(jù)悉，目前項目處于停滯狀態(tài)。

  據(jù)公司信息表示，芯恩集成為中國首個協(xié)同式集成電路制造(CIDM)項目，總投資約150億元。

  2018年9月13日，太極實業(yè)發(fā)布公告，子公司十一科技與芯恩簽訂了《青島芯恩集成電路研發(fā)生產(chǎn)一期項目EPC總承包工程合同》。青島芯恩集成電路研發(fā)生產(chǎn)一期項目占地面積373畝，建筑總面積約31.3萬平方米，一期項目投資約78億元，新建8英寸集成電路生產(chǎn)線一條，12英寸集成電路生產(chǎn)線一條，光掩模板生產(chǎn)線一條。項目開工日期為2018年8月12日，工程接收日為2019年12月26日，工期總?cè)諝v天數(shù)為501日歷天。

  計劃2019年底一期整線投產(chǎn)，2022年滿產(chǎn)。

  格芯（成都）集成電路制造有限公司

  點評：天要下雨，娘要嫁人。隨緣吧！

  2018年10月26日，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案。基于市場條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的22FDX技術(shù)。

  2017年2月10日，格芯宣布正式啟動建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地，推動實施成都集成電路生態(tài)圈行動計劃，投資規(guī)模累計超過100億美元，其中基礎(chǔ)設(shè)施是93億美元，其余為基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)鏈的建設(shè)，力爭打造中國大陸單一邏輯產(chǎn)品產(chǎn)能最大的12寸工廠。

  格芯12寸晶圓代工廠分兩期建設(shè)，第一期0.18um和0.13um，技術(shù)轉(zhuǎn)移來自GF新加坡，2018底預(yù)計產(chǎn)能約2萬每月；第二期為重頭戲22nm SOI工藝，2018年開始從德國FAB轉(zhuǎn)移，計劃2019年投產(chǎn)，預(yù)計2019年下半年產(chǎn)能達(dá)到約6.5萬每月。

  德淮半導(dǎo)體有限公司

  點評：霧里看花。

  2018年4月28日生產(chǎn)線核心設(shè)備NIKON進(jìn)光刻機（S308/S206）進(jìn)廠安裝，其中S308可滿足65納米工藝生產(chǎn)，S206可滿足110納米工藝生產(chǎn)。

  德淮半導(dǎo)體有限公司是一家專注于CMOS影像傳感器的半導(dǎo)體公司，總投資預(yù)計約500億人民幣。規(guī)劃建設(shè)三個12寸CMOS圖像傳感器專屬晶圓廠。項目首期預(yù)計投入150億元，為年產(chǎn)24萬片的12吋晶圓廠。

  2016年1月19日公司注冊成立；2016年3月27日12英寸晶圓廠破土動工；2016年4月1日在日本成立芯片設(shè)計公司；2016年12月與意法半導(dǎo)體簽署工藝授權(quán)；2016年12月與安森美半導(dǎo)體簽署CIS產(chǎn)品和技術(shù)授權(quán)；2017年6月公司舉行封頂儀式。

  江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司

  點評：花開花落終有期，京甬淮三地難濟(jì)。

  2018年4月10日，生產(chǎn)線核心設(shè)備ASML 1950Hi光刻機進(jìn)廠安裝，1950Hi可滿足38納米工藝生產(chǎn)。

  2016年9月28日，項目正式破土動工；2017年3月1日，年產(chǎn)10萬片12英寸相變存儲器項目舉行動工儀式；2017年11月9日主廠房封頂。

  江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司正式致力于開發(fā)及生產(chǎn)搭載最新PCM技術(shù)的存儲產(chǎn)品。江蘇淮安PCM生產(chǎn)項目總投資130億元，一期投資43億元。公司宣稱擁有相變存儲器完整的技術(shù)和工藝的知識產(chǎn)權(quán)及產(chǎn)業(yè)化能力，已制定了未來十年的產(chǎn)品規(guī)劃，計劃在2019年二季度EEPROM和NOR的存儲器產(chǎn)品下線。

  2017年6月16日，與IBM公司就相變存儲知識產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)淮安簽約暨大容量存儲產(chǎn)品研發(fā)合作啟動儀式舉行。

  2018年12月公司入選工信部存儲器“一條龍”應(yīng)用計劃“示范企業(yè)”，年產(chǎn)10萬片12英寸相變存儲器項目入選“示范項目”，是少數(shù)幾家入選“示范企業(yè)”和“示范項目”的公司 ，更是全國唯一一家相變存儲器（PCM）入選的公司。

  武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司

  點評：熊心撞志當(dāng)老二。

  2018年9月11日弘芯半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)園項目舉行開工儀式。公司宣稱立志成為全球第二大CIDM晶圓廠。（筆者實在不知全球第一大CIDM晶圓廠是哪家公司？）

  項目總投資1280億元，主要從事12英寸晶圓的集成電路制造代工業(yè)務(wù)。項目計劃于2019年上半年完成主廠房工程施工，2019年下半年正式投產(chǎn)。項目一期設(shè)計產(chǎn)能月產(chǎn)4.5萬片，預(yù)計2019年底投產(chǎn)；二期采用最新的制程工藝技術(shù)，設(shè)計月產(chǎn)能4.5萬片，預(yù)2021年第四季度投產(chǎn)。

  公司表示，主要運營邏輯先進(jìn)工藝，成熟主流工藝，以及射頻特種工藝，并持續(xù)研發(fā)世界先進(jìn)的制程工藝。

  根據(jù)工商信息表明，公司的兩大股東分別是北京光量藍(lán)圖科技有限公司（持股90%）武漢臨空港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)工業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司（持股10%）；而北京光量藍(lán)圖科技有限公司是兩個個人股東--李雪艷（持股54.44%）、莫森（持股45.56%），莫森是在2019年1月16日接盤曹山。

  上海積塔半導(dǎo)體有限公司

  2018年8月16日，積塔半導(dǎo)體有限公司特色工藝生產(chǎn)線項目正式開工。據(jù)浦東時報2018年12月消息，目前項目建設(shè)總體進(jìn)展順利，絕大部分樁基工程已完成。

  積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資359億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片12英寸特色工藝生產(chǎn)線。產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)?；a(chǎn)能力。

  海辰半導(dǎo)體（無錫）有限公司

  根據(jù)十一科技發(fā)面的公告，海辰半導(dǎo)體項目開工日期2018年5月21日，清潔室（clean room）完工時間為2019年7月30日，工程竣工日期2019年10月20日。

  2018年7月SK海力士表示，旗下晶圓代工子公司SK海力士系統(tǒng)IC公司與無錫市政府旗下的無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司組成的合資公司，2018年下半年啟動工廠的建設(shè)。

  海辰半導(dǎo)體項目將建設(shè)8英寸晶圓模擬生產(chǎn)線，項目總投資67.9億，規(guī)劃年產(chǎn)能126萬片。

  SK海力士系統(tǒng)IC公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，而無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)則負(fù)責(zé)提供其他必要的基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉SK海力士位于韓國清州M8廠的8英寸設(shè)備將在2021年底前運至無錫。

  中芯集成電路制造（紹興）有限公司

  2018年5月18日，中芯紹興8英寸廠房項目舉行奠基儀式，標(biāo)志著中芯國際微機電和功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落地紹興。

  2018年3月1日，中芯紹興項目舉行簽約儀式，項目首期投資58.8億元人民幣。

  中芯紹興由中芯控股、紹興市政府、盛洋電器將共同出資設(shè)立，主要面向微機電和功率器件集成電路領(lǐng)域，專注于晶圓和模組代工，持續(xù)投入研發(fā)并致力于產(chǎn)業(yè)化；二期將引入晶圓級封裝和模組封裝，建設(shè)并形成一個綜合性的特色工藝基地，快速占據(jù)國內(nèi)市場領(lǐng)導(dǎo)地位。

  賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司

  2018年賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司繼續(xù)完善核心管理及人才團(tuán)隊，推進(jìn)8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項目的建設(shè)。

  據(jù)悉，目前公司設(shè)備陸續(xù)購買中，產(chǎn)線建設(shè)順利，基礎(chǔ)工程建設(shè)已部分封頂。預(yù)計2019年第3季達(dá)到試生產(chǎn)狀態(tài)，2020年形成新增產(chǎn)能。

  德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司

  點評：風(fēng)流總被雨打風(fēng)吹去。

  2018年2月舉行上梁儀式。

  2016年6月8日項目奠基，2017年2月，Tacoma全面啟動廠區(qū)土木與機電建設(shè)工程。

  2015年11月27日項目簽約，總投資25億美元。項目將分期建設(shè)，一期項目為8吋晶圓廠一座，規(guī)劃月產(chǎn)能40000片晶圓，以電源管理芯片、微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)為主。2017年8月21日宣布獲得以色列TowerJazz技術(shù)支持。

  2015年10月15日，德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司成立，服務(wù)于南京半導(dǎo)體項目籌建。2015年10月與南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽署并執(zhí)行南京8寸和12寸晶圓廠項目。

  江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司

  點評：大芯片，小龍蝦；淮安就是不姓邪。

  2017年12月10日中璟航天半導(dǎo)體8英寸生產(chǎn)線在江蘇盱眙開工建設(shè)，計劃總投資120億元，整體項目將于2018年12月底前竣工投產(chǎn)。

  據(jù)悉，中璟航天主要生產(chǎn)功率器件和CIS。中璟航天半導(dǎo)體表示，技術(shù)團(tuán)隊主要是來自三方面：一是日本技術(shù)團(tuán)隊；二是中國臺灣技術(shù)團(tuán)隊；三是國內(nèi)通過軍民融合提供技術(shù)及人才。

  2018年4月在南京舉行的“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上，賽迪顧問給中璟航天頒發(fā)了“最具成長力企業(yè)獎”和“投資新銳獎”2個獎項。

  中璟航天實力如何，筆者不得而知。但是中璟航天確實是高調(diào)。

  2017年3月11日，中璟航天半導(dǎo)體宣布投資近40億美元的12英寸CIS晶圓廠落戶成都郫都區(qū)。

  2017年4月22日宣布投資60億元半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項目落戶廣東江門市開平翠山湖科技園。

  2018年4月28日，新華日報發(fā)布的《2018年省重大項目名單》第二部分“前期工作項目”中，我們也發(fā)現(xiàn)有“如皋中璟航天第三代化合物半導(dǎo)體”。

  廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司

  2018年10月18日，士蘭微廈門4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線舉行開工典禮。

  4/6吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目總投資50億元人民幣，分兩期實施，其中，項目一期投資20億元，項目二期投資30億元。

  項目由廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)，公司注冊資本為8億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)以貨幣出資5.6億元，占股70%；士蘭微以貨幣出資2.4億元，占股30%。

  北京雙儀微電子科技有限公司

  2018年7月30日，北京雙儀微電子科技有限公司宣布擬投資10億元在北京市亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建造具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行6英寸砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務(wù)，該項目預(yù)計于2019年初投產(chǎn)使用，規(guī)劃每月2萬片產(chǎn)能。

  北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術(shù)初創(chuàng)公司，旨在為5G和IoT毫米波市場領(lǐng)域所遇到的挑戰(zhàn)開發(fā)出新的解決方案，提供高性能的射頻組件。雙儀微電子作為北京燕東微電子有限公司的參股子公司，將租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房和場地進(jìn)行建設(shè)。

  規(guī)劃篇

  華潤微電子重慶項目

  2018年11月5日，華潤微電子與西永微電園簽署協(xié)議，共同發(fā)展12英寸晶圓生產(chǎn)線項目，該項目投資約100億元，建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，將主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

  矽力杰半導(dǎo)體青島項目

  2018年7月5日，矽力杰12英寸先進(jìn)模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)化項目簽約，項目共同投資約180億元人民幣，建設(shè)一條12英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能每月可達(dá)4萬片。

  據(jù)悉，矽力杰半導(dǎo)體項目未來規(guī)劃建設(shè)2條12英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，1條8英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。

  2019年關(guān)注七大項目，看命運如何?

  芯恩（青島）集成電路有限公司：名人效應(yīng)難符實。

  格芯（成都）集成電路制造有限公司：天要下雨，娘要嫁人。隨緣吧！

  德淮半導(dǎo)體有限公司：霧里看花。

  江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司：花開花落終有期，京甬淮三地難濟(jì)。

  武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司：熊心撞志當(dāng)老二。

  德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司：風(fēng)流總被雨打風(fēng)吹去。

  江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司：大芯片，小龍蝦；淮安就是不姓邪。

  不管是虛擬IDM，FPC，還是CIDM，在20年前臺積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體都努力實踐過，最后都殊途同歸。